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據南京市政府官方消息,國家第三代半導體技術創新中心(南京)歷經4年自主研發,成功突破溝槽型SiC MOSFET芯片制造關鍵技術,打破平面型SiC MOSFET芯片性能“天花板”,實... 2024-10-29 09:40:20
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10-29據南京市政府官方消息,國家第三代半導體技術創新中心(南京)歷經4年自主研發,成功突破溝槽型SiC MOSFET芯片制造關... -
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10-22IGBT模塊熱量主要由導通功耗、開關功耗、斷態功耗以及快恢復二極管功耗產生,通常情況下斷態功耗因相對較小可忽略不計。IG... -
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10-16根據摩爾定律,芯片內部的晶體管數量每隔18-24個月翻番,同時性能提升一倍。隨著半導體技術逐漸逼近物理極限,晶體管尺寸的...